近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。
在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合，使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外，为了满足更广泛的需求，ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，产品阵容已达12款。
本系列产品采用ROHM新工艺，实现了业界超低的导通电阻，±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%（双极MOSFET的Pch部分比较），有助于进一步降低各种设备的功耗。此外，通过将两枚器件集成到一个封装中，有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化，还有助于减少器件选型（Nch和Pch的组合）的时间。
本系列产品已于2021年3月开始暂以月产100万个的规模投入量产
今后，ROHM还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品，以扩大本系列产品的阵容，通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境保护等社会问题。
